全球领先的AI嵌入式解决方案商
0
%
CSD16322Q5
CSD16322Q5

Texas Instruments
品牌
卷带式 (TR)
包裝
批次
5108
库存
产品规格
类型描述
制造商Texas Instruments
系列NexFET™
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs5mOhm @ 20A, 8V
功耗(最大)3.1W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 250µA
供应商设备包8-VSON-CLIP (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)3V, 8V
Vgs(最大)+10V, -8V
漏源电压 (Vdss)25 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs9.7 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1365 pF @ 12.5 V
技术文档
产品概述
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
0.542973s