全球领先的AI嵌入式解决方案商
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 6W |
| 漏源电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-VSON (3.3x3.3) |
