类型 | 描述 |
制造商 | Texas Instruments |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | P-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
功耗(最大) | 791mW (Ta) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.5V @ 250µA |
供应商设备包 | 8-SOIC |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 2.7V, 10V |
Vgs(最大) | +2V, -15V |
漏源电压 (Vdss) | 15 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 11.25 nC @ 10 V |